STGP7NB60HDFP - аналоги и описание IGBT

 

STGP7NB60HDFP - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: STGP7NB60HDFP

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 6 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.8 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 15 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 560pF pF

Тип корпуса: TO220F

 Аналог (замена) для STGP7NB60HDFP

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

STGP7NB60HDFP даташит

 3.1. Size:382K  st
 stgp7nb60hd.pdf pdf_icon

STGP7NB60HDFP

STGP7NB60HD STGP7NB60HDFP N-CHANNEL 7A - 600V TO-220/FP PowerMESH IGBT TYPE VCES VCE(sat) IC STGP7NB60HD 600 V

 4.1. Size:108K  st
 stgp7nb60hf.pdf pdf_icon

STGP7NB60HDFP

STGP7NB60HD STGP7NB60HDFP N-CHANNEL 7A - 600V - TO-220/FP PowerMESH IGBT TYPE VCES VCE(sat) IC STGP7NB60HD 600 V

 4.2. Size:318K  st
 stgp7nb60h.pdf pdf_icon

STGP7NB60HDFP

STGP7NB60H N-CHANNEL 7A - 600V - TO-220 PowerMESH IGBT TYPE VCES VCE(sat) IC STGP7NB60H 600 V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... STGB20NB37LZ , STGB30NB60H , STGB3NB60HD , STGB7NB60HD , STGD3NB60S , STGD7NB60H , STGP10N60L , STGP7NB60HD , YGW60N65F1A1 , STGW12NB60H , STGW20NB60H , STGW20NB60HD , STGW30NB60HD , STGW50NB60H , STGY50NB60HD , TA49014 , TA49015 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.