STGW50NB60H - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STGW50NB60H
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 190 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 50 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.8 V @25℃
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 30 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 4500pF pF
Paquete / Cubierta: TO247
Búsqueda de reemplazo de STGW50NB60H IGBT
STGW50NB60H Datasheet (PDF)
stgw50nb60h.pdf

STGW50NB60HN-CHANNEL 50A - 600V - TO-247PowerMESH IGBTTYPE VCES VCE(sat) (Max) ICSTGW50NB60H 600 V
stgw50nb60m.pdf

STGW50NB60MN-CHANNEL 50A - 600V - TO-247PowerMESH IGBTTYPE VCES VCE(sat)(25C) ICSTGW50NB60M 600 V
stgw50nc60w.pdf

STGW50NC60WN-channel 600V - 55A - TO-247Ultra fast switching PowerMESH IGBTFeaturesVCE(sat) IC VCESType(max)@25C @100CSTGW50NC60W 600V
stgw50h60df.pdf

STGW50H60DF50 A, 600 V field stop trench gate IGBT with Ultrafast diodeDatasheet - production dataFeatures High speed switching Tight parameters distribution Safe paralleling Low thermal resistance 6 s short-circuit withstand time32 Ultrafast soft recovery antiparallel diode1 Lead free packageTO-247Applications Photovoltaic inverters
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