STGW50NB60H - аналоги, основные параметры, даташиты
Наименование: STGW50NB60H
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Предельные значения
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 190 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 50 A @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
Электрические характеристики
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.8 V @25℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 30 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 4500pF pF
Тип корпуса: TO247
Аналог (замена) для STGW50NB60H
- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам
STGW50NB60H даташит
stgw50nb60h.pdf
STGW50NB60H N-CHANNEL 50A - 600V - TO-247 PowerMESH IGBT TYPE VCES VCE(sat) (Max) IC STGW50NB60H 600 V
stgw50nb60m.pdf
STGW50NB60M N-CHANNEL 50A - 600V - TO-247 PowerMESH IGBT TYPE VCES VCE(sat)(25 C) IC STGW50NB60M 600 V
stgw50nc60w.pdf
STGW50NC60W N-channel 600V - 55A - TO-247 Ultra fast switching PowerMESH IGBT Features VCE(sat) IC VCES Type (max)@25 C @100 C STGW50NC60W 600V
Другие IGBT... STGD7NB60H , STGP10N60L , STGP7NB60HD , STGP7NB60HDFP , STGW12NB60H , STGW20NB60H , STGW20NB60HD , STGW30NB60HD , CRG15T120BNR3S , STGY50NB60HD , TA49014 , TA49015 , TA49016 , TA49017 , TA49021 , TA49047 , TA49048 .
History: YGW40N65F1A1 | SRE60N065FSU | TA49052
History: YGW40N65F1A1 | SRE60N065FSU | TA49052
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
2sc2078 | ac127 transistor | a42 transistor | bc547c | 2sa726 | 2sd313 | 2sc536 | d718 transistor







