STGW50NB60H - аналоги и описание IGBT

 

STGW50NB60H - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: STGW50NB60H

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 190 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 50 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.8 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 30 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 4500pF pF

Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для STGW50NB60H

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

STGW50NB60H даташит

 ..1. Size:302K  st
stgw50nb60h.pdfpdf_icon

STGW50NB60H

STGW50NB60H N-CHANNEL 50A - 600V - TO-247 PowerMESH IGBT TYPE VCES VCE(sat) (Max) IC STGW50NB60H 600 V

 4.1. Size:299K  st
stgw50nb60m.pdfpdf_icon

STGW50NB60H

STGW50NB60M N-CHANNEL 50A - 600V - TO-247 PowerMESH IGBT TYPE VCES VCE(sat)(25 C) IC STGW50NB60M 600 V

 7.1. Size:286K  st
stgw50nc60w.pdfpdf_icon

STGW50NB60H

STGW50NC60W N-channel 600V - 55A - TO-247 Ultra fast switching PowerMESH IGBT Features VCE(sat) IC VCES Type (max)@25 C @100 C STGW50NC60W 600V

 8.1. Size:1756K  st
stgw50h60df.pdfpdf_icon

STGW50NB60H

Другие IGBT... STGD7NB60H , STGP10N60L , STGP7NB60HD , STGP7NB60HDFP , STGW12NB60H , STGW20NB60H , STGW20NB60HD , STGW30NB60HD , CRG15T120BNR3S , STGY50NB60HD , TA49014 , TA49015 , TA49016 , TA49017 , TA49021 , TA49047 , TA49048 .

History: YGW40N65F1A1 | SRE60N065FSU | TA49052

 

 

 

 

↑ Back to Top
.