STGY50NB60HD Todos los transistores

 

STGY50NB60HD - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STGY50NB60HD
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 250 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 50 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.8 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 20 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 4500pF pF
   Paquete / Cubierta: TMAX
 

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STGY50NB60HD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:305K  st
 stgy50nb60hd.pdf pdf_icon

STGY50NB60HD

STGY50NB60HDN-CHANNEL 50A - 600V - Max247PowerMESH IGBTTYPE VCES VCE(sat) ICSTGY50NB60HD 600 V

 7.1. Size:555K  st
 stgy50nc60wd.pdf pdf_icon

STGY50NB60HD

STGY50NC60WD50 A, 600 V, ultra fast IGBTFeatures Very high frequency operation Low CRES / CIES ratio (no cross-conduction susceptibility) Very soft ultra fast recovery antiparallel diode3Applications21 Very high frequency inverters, UPSMax247 HF, SMPS and PFC in both hard switch and resonant topologies Motor drivers WeldingFigure 1. Interna

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History: 2MBI450U4J-120-50 | MG50Q1BS11 | NGTB03N60R2DT4G | MMG75S170B6TC | SPT10N120T1 | FGD3040G2-F085C | SPT40N120F1AT8TL

 

 
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