FGD4536 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FGD4536
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 125 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 360 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 30 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 50 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.59 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 4 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 20 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 56 pF
Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 47 nC
Paquete / Cubierta: TO252
Búsqueda de reemplazo de FGD4536 IGBT
FGD4536 Datasheet (PDF)
fgd4536.pdf

April 2013FGD4536360 V PDP Trench IGBTFeatures General Description High Current Capability Using novel trench IGBT technology, Fairchilds new series oftrench IGBTs offer the optimum performance for consumer Low Saturation Voltage: VCE(sat) = 1.59 V @ IC = 50 Aappliances and PDP TV applications where low conduction and High Input Impedanceswitching losses are esse
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Liste
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