FGD4536 Todos los transistores

 

FGD4536 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FGD4536
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 125 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 360 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 30 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 50 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.59 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 4 V
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 20 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 56 pF
   Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 47 nC
   Paquete / Cubierta: TO252
     - Selección de transistores por parámetros

 

FGD4536 Datasheet (PDF)

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FGD4536

April 2013FGD4536360 V PDP Trench IGBTFeatures General Description High Current Capability Using novel trench IGBT technology, Fairchilds new series oftrench IGBTs offer the optimum performance for consumer Low Saturation Voltage: VCE(sat) = 1.59 V @ IC = 50 Aappliances and PDP TV applications where low conduction and High Input Impedanceswitching losses are esse

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History: STGW60V60DF

 

 
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