Справочник IGBT. FGD4536

 

FGD4536 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: FGD4536
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 360 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 50 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.59 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 4 V
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 20 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 56 pF
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 47 nC
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для FGD4536

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

FGD4536 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:258K  1
 fgd4536.pdf pdf_icon

FGD4536

April 2013FGD4536360 V PDP Trench IGBTFeatures General Description High Current Capability Using novel trench IGBT technology, Fairchilds new series oftrench IGBTs offer the optimum performance for consumer Low Saturation Voltage: VCE(sat) = 1.59 V @ IC = 50 Aappliances and PDP TV applications where low conduction and High Input Impedanceswitching losses are esse

Другие IGBT... FGA50N100BNTD2 , FGA60N60UFD , FGA90N33ATD , FGAF40N60UF , FGAF40N60UFD , FGB20N60SF , FGB20N60SFD , FGD3N60LSD , GT60N321 , FGH20N60SFD , FGH20N60UFD , FGH25N120FTDS , FGH30N120FTD , FGH30N60LSD , FGH40N60SF , FGH40N60SFD , FGH40N60SMD .

 

 
Back to Top

 


 
.