CM75DY-28H IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CM75DY-28H
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 600 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1400 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 75 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 3.1 V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 350(max) nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 5.3(max) pF
Encapsulados: MODULE
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CM75DY-28H datasheet
cm75dy-28h.pdf
CM75DY-28H Powerex, Inc., 200 Hillis Street, Youngwood, Pennsylvania 15697-1800 (724) 925-7272 Dual IGBTMOD H-Series Module 75 Amperes/1400 Volts A B C F F K Q - DIA. (2 TYP.) M J D C2E1 E2 C1 R N S - M5 THD Description (3 TYP.) (3 TYP.) Powerex IGBTMOD Modules R are designed for use in switching R .110 TAB applications. Each module consists H L H of two IGBT Tr
cm75du-24f.pdf
CM75DU-24F Powerex, Inc., 200 E. Hillis Street, Youngwood, Pennsylvania 15697-1800 (724) 925-7272 Trench Gate Design Dual IGBTMOD 75 Amperes/1200 Volts A N D P - NUTS (3 TYP) TC MEASURED POINT Y E C2E1 E2 C1 W Q (2 F PLACES) X G B F Description Powerex IGBTMOD Modules M K K J are designed for use in switching R applications. Each module con- H (4 PLACES) sist
cm75du-12f.pdf
CM75DU-12F Powerex, Inc., 200 E.Hillis Street, Youngwood, Pennsylvania 15697-1800 (724) 925-7272 Trench Gate Design Dual IGBTMOD 75 Amperes/600 Volts A N D P - NUTS (3 TYP) TC MEASURED POINT Y E C2E1 E2 C1 W Q (2 F PLACES) X G B F Description Powerex IGBTMOD Modules M K K J are designed for use in switching R applications. Each module con- H (4 PLACES) sists
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