IXA33IF1200HB IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXA33IF1200HB

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 250 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 58 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.8 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 40 nS

Encapsulados: TO247

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IXA33IF1200HB datasheet

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IXA33IF1200HB

IXA33IF1200HB VCES = 1200V XPT IGBT I= 58 A C25 VCE(sat) = 1.8V Copack Part number IXA33IF1200HB Backside collector 2(C) (G) 1 3(E) Features / Advantages Applications Package TO-247 Easy paralleling due to the positive temperature AC motor drives Industry standard outline coefficient of the on-state voltage Solar inverter RoHS compliant Rugged XPT de

Otros transistores... IXA12IF1200PB, IXA12IF1200TC, IXA17IF1200HJ, IXA20I1200PB, IXA20IF1200HB, IXA20PG1200DHGLB, IXA27IF1200HJ, IXA30PG1200DHGLB, CRG40T60AK3HD, IXA37IF1200HJ, IXA40PG1200DHGLB, IXA45IF1200HB, IXA55I1200HJ, IXA60IF1200NA, IXBF12N300, IXBF20N300, IXBF32N300