IXA33IF1200HB - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IXA33IF1200HB
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 250 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 58 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.8 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6.5 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 40 nS
Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 76 nC
Paquete / Cubierta: TO247
Búsqueda de reemplazo de IXA33IF1200HB - IGBT
IXA33IF1200HB Datasheet (PDF)
ixa33if1200hb.pdf
IXA33IF1200HBVCES = 1200VXPT IGBTI= 58 AC25VCE(sat) = 1.8VCopackPart numberIXA33IF1200HBBackside: collector2(C)(G) 13(E)Features / Advantages: Applications: Package: TO-247 Easy paralleling due to the positive temperature AC motor drives Industry standard outline coefficient of the on-state voltage Solar inverter RoHS compliant Rugged XPT de
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Liste
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