IXA33IF1200HB - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: IXA33IF1200HB

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 58 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.8 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 40 nS

Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для IXA33IF1200HB

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IXA33IF1200HB даташит

 ..1. Size:125K  ixys
 ixa33if1200hb.pdf pdf_icon

IXA33IF1200HB

IXA33IF1200HB VCES = 1200V XPT IGBT I= 58 A C25 VCE(sat) = 1.8V Copack Part number IXA33IF1200HB Backside collector 2(C) (G) 1 3(E) Features / Advantages Applications Package TO-247 Easy paralleling due to the positive temperature AC motor drives Industry standard outline coefficient of the on-state voltage Solar inverter RoHS compliant Rugged XPT de

Другие IGBT... IXA12IF1200PB, IXA12IF1200TC, IXA17IF1200HJ, IXA20I1200PB, IXA20IF1200HB, IXA20PG1200DHGLB, IXA27IF1200HJ, IXA30PG1200DHGLB, CRG40T60AK3HD, IXA37IF1200HJ, IXA40PG1200DHGLB, IXA45IF1200HB, IXA55I1200HJ, IXA60IF1200NA, IXBF12N300, IXBF20N300, IXBF32N300