Справочник IGBT. IXA33IF1200HB

 

IXA33IF1200HB Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IXA33IF1200HB
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 58 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.8 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 40 nS
   Тип корпуса: TO247
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

IXA33IF1200HB Datasheet (PDF)

 ..1. Size:125K  ixys
 ixa33if1200hb.pdf pdf_icon

IXA33IF1200HB

IXA33IF1200HBVCES = 1200VXPT IGBTI= 58 AC25VCE(sat) = 1.8VCopackPart numberIXA33IF1200HBBackside: collector2(C)(G) 13(E)Features / Advantages: Applications: Package: TO-247 Easy paralleling due to the positive temperature AC motor drives Industry standard outline coefficient of the on-state voltage Solar inverter RoHS compliant Rugged XPT de

Другие IGBT... IXA12IF1200PB , IXA12IF1200TC , IXA17IF1200HJ , IXA20I1200PB , IXA20IF1200HB , IXA20PG1200DHGLB , IXA27IF1200HJ , IXA30PG1200DHGLB , NGD8201N , IXA37IF1200HJ , IXA40PG1200DHGLB , IXA45IF1200HB , IXA55I1200HJ , IXA60IF1200NA , IXBF12N300 , IXBF20N300 , IXBF32N300 .

History: APT15GT60KR | SPM1003 | DM2G150SH12AE | TT060U065FB

 

 
Back to Top

 


 
.