IXA37IF1200HJ - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IXA37IF1200HJ
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 195 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 58 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.8 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6.5 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 40 nS
Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 106 nC
Paquete / Cubierta: ISOPLUS247
Búsqueda de reemplazo de IXA37IF1200HJ - IGBT
IXA37IF1200HJ Datasheet (PDF)
ixa37if1200hj.pdf
IXA37IF1200HJVCES = 1200VXPT IGBTI= 58 AC25VCE(sat) = 1.8VCopackPart numberIXA37IF1200HJBackside: isolated2(C)(G) 13(E)Features / Advantages: Applications: Package: ISOPLUS247 Easy paralleling due to the positive temperature AC motor drives Isolation Voltage: V~3600 coefficient of the on-state voltage Solar inverter Industry standard outline
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Liste
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