IXA37IF1200HJ Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: IXA37IF1200HJ
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 195 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 58 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.8 V @25℃
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 40 nS
Тип корпуса: ISOPLUS247
- подбор IGBT транзистора по параметрам
IXA37IF1200HJ Datasheet (PDF)
ixa37if1200hj.pdf

IXA37IF1200HJVCES = 1200VXPT IGBTI= 58 AC25VCE(sat) = 1.8VCopackPart numberIXA37IF1200HJBackside: isolated2(C)(G) 13(E)Features / Advantages: Applications: Package: ISOPLUS247 Easy paralleling due to the positive temperature AC motor drives Isolation Voltage: V~3600 coefficient of the on-state voltage Solar inverter Industry standard outline
Другие IGBT... IXA12IF1200TC , IXA17IF1200HJ , IXA20I1200PB , IXA20IF1200HB , IXA20PG1200DHGLB , IXA27IF1200HJ , IXA30PG1200DHGLB , IXA33IF1200HB , IKW30N60H3 , IXA40PG1200DHGLB , IXA45IF1200HB , IXA55I1200HJ , IXA60IF1200NA , IXBF12N300 , IXBF20N300 , IXBF32N300 , IXBF40N160 .
History: TT060U065FB | DM2G150SH12AE | APT15GT60KR | SPM1003
History: TT060U065FB | DM2G150SH12AE | APT15GT60KR | SPM1003



Список транзисторов
Обновления
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
Popular searches
2sc2240 transistor | c3198 | 2sc793 | 2sd313 replacement | 2n4249 | a1013 transistor | 2sc2705 | bc239