IXA37IF1200HJ - аналоги, основные параметры, даташиты
Наименование: IXA37IF1200HJ
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Предельные значения
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 195 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 58 A @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
Электрические характеристики
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.8 V @25℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 40 nS
Тип корпуса: ISOPLUS247
Аналог (замена) для IXA37IF1200HJ
- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам
IXA37IF1200HJ даташит
Другие IGBT... IXA12IF1200TC, IXA17IF1200HJ, IXA20I1200PB, IXA20IF1200HB, IXA20PG1200DHGLB, IXA27IF1200HJ, IXA30PG1200DHGLB, IXA33IF1200HB, SGP30N60, IXA40PG1200DHGLB, IXA45IF1200HB, IXA55I1200HJ, IXA60IF1200NA, IXBF12N300, IXBF20N300, IXBF32N300, IXBF40N160
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
2sc2240 transistor | c3198 | 2sc793 | 2sd313 replacement | 2n4249 | a1013 transistor | 2sc2705 | bc239

