IXA45IF1200HB - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IXA45IF1200HB
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 325 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 78 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.8 V @25℃
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 40 nS
Paquete / Cubierta: TO247
Búsqueda de reemplazo de IXA45IF1200HB - IGBT
IXA45IF1200HB Datasheet (PDF)
ixa45if1200hb.pdf
IXA45IF1200HBVCES = 1200VXPT IGBTI= 78 AC25VCE(sat) = 1.8VCopackPart numberIXA45IF1200HBBackside: collector2(C)(G) 13(E)Features / Advantages: Applications: Package: TO-247 Easy paralleling due to the positive temperature AC motor drives Industry standard outline coefficient of the on-state voltage Solar inverter RoHS compliant Rugged XPT de
mixa450pf1200tsf.pdf
MIXA450PF1200TSFVCES = 2x 1200VXPT IGBT ModuleI= 650AC25VCE(sat) = 1.8VPhase leg + free wheeling Diodes + NTCPart numberMIXA450PF1200TSFBackside: isolated52 1 8 7 94310/116Features / Advantages: Applications: Package: SimBus F High level of integration - only one AC motor drives Isolation Voltage: V~3000 power semiconductor module required Pu
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Liste
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