IXBF32N300 Todos los transistores

 

IXBF32N300 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXBF32N300
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 160 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 3000 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 40 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.8 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 185 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 124 pF
   Paquete / Cubierta: ISOPLUS-I4-PAK
     - Selección de transistores por parámetros

 

IXBF32N300 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:194K  ixys
 ixbf32n300.pdf pdf_icon

IXBF32N300

Preliminary Technical InformationHigh Voltage, High GainVCES = 3000VIXBF32N300BIMOSFETTM MonolithicIC90 = 22ABipolar MOS TransistorVCE(sat) 3.2V(Electrically Isolated Tab)ISOPLUS i4-PakTMSymbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TC = 25C to 150C 3000 V1VCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 3000 V2VGES Continuous 20 V5VGEM Transie

Otros transistores... IXA33IF1200HB , IXA37IF1200HJ , IXA40PG1200DHGLB , IXA45IF1200HB , IXA55I1200HJ , IXA60IF1200NA , IXBF12N300 , IXBF20N300 , TGD30N40P , IXBF40N160 , IXBF42N300 , IXBF55N300 , IXBF9N160G , IXBH10N170 , IXBH12N300 , IXBH16N170 , IXBH16N170A .

History: IRG4IBC30FD | SII150N12 | RJH1CV5DPQ-E0 | IRG4BC30F | OM6526SA | MMIX1X340N65B4 | IXSN35N120AU1

 

 
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