IXBF32N300 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IXBF32N300
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 160 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 3000 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 40 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.8 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 5 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 185 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 124 pF
Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 142 nC
Paquete / Cubierta: ISOPLUS-I4-PAK
Búsqueda de reemplazo de IXBF32N300 - IGBT
IXBF32N300 Datasheet (PDF)
ixbf32n300.pdf
Preliminary Technical InformationHigh Voltage, High GainVCES = 3000VIXBF32N300BIMOSFETTM MonolithicIC90 = 22ABipolar MOS TransistorVCE(sat) 3.2V(Electrically Isolated Tab)ISOPLUS i4-PakTMSymbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TC = 25C to 150C 3000 V1VCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 3000 V2VGES Continuous 20 V5VGEM Transie
Otros transistores... IXA33IF1200HB , IXA37IF1200HJ , IXA40PG1200DHGLB , IXA45IF1200HB , IXA55I1200HJ , IXA60IF1200NA , IXBF12N300 , IXBF20N300 , IKW50N60T , IXBF40N160 , IXBF42N300 , IXBF55N300 , IXBF9N160G , IXBH10N170 , IXBH12N300 , IXBH16N170 , IXBH16N170A .
Liste
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IGBT: AOTS40B65H1 | AOTF8B65MQ1 | AOTF5B65M2 | AOTF5B65M1 | AOTF20B65M2 | AOTF20B65M1 | AOTF20B65LN2 | AOTF15B65MQ1 | AOTF15B65M3 | AOTF15B65M2 | AOTF15B60D2