Справочник IGBT. IXBF32N300

 

IXBF32N300 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IXBF32N300
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 160 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 3000 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 40 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.8 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 185 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 124 pF
   Тип корпуса: ISOPLUS-I4-PAK
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

IXBF32N300 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:194K  ixys
 ixbf32n300.pdf pdf_icon

IXBF32N300

Preliminary Technical InformationHigh Voltage, High GainVCES = 3000VIXBF32N300BIMOSFETTM MonolithicIC90 = 22ABipolar MOS TransistorVCE(sat) 3.2V(Electrically Isolated Tab)ISOPLUS i4-PakTMSymbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TC = 25C to 150C 3000 V1VCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 3000 V2VGES Continuous 20 V5VGEM Transie

Другие IGBT... IXA33IF1200HB , IXA37IF1200HJ , IXA40PG1200DHGLB , IXA45IF1200HB , IXA55I1200HJ , IXA60IF1200NA , IXBF12N300 , IXBF20N300 , TGD30N40P , IXBF40N160 , IXBF42N300 , IXBF55N300 , IXBF9N160G , IXBH10N170 , IXBH12N300 , IXBH16N170 , IXBH16N170A .

History: 7MBP200VEA120-50 | SM2G100US60 | FGPF4565 | APT33GF120B2RD | MMG450WB060B6EN | IXGC16N60B2D1 | 4MBI400VG-060R-50

 

 
Back to Top

 


 
.