IXBF40N160 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IXBF40N160
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 250 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1600 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 28 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 6.2 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 8 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 60 nS
Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 130 nC
Paquete / Cubierta: ISOPLUS-I4-PAK
Búsqueda de reemplazo de IXBF40N160 - IGBT
IXBF40N160 Datasheet (PDF)
ixbf40n160.pdf
IXBF 40N160IC25 = 28 AHigh VoltageVCES = 1600 VBIMOSFETTMVCE(sat) = 6.2 Vin High Voltage ISOPLUS i4-PACTMtf = 40 nsMonolithic Bipolar MOS Transistor15Features IGBT High Voltage BIMOSFETTMSymbol Conditions Maximum Ratings - substitute for high voltage MOSFETs with significantly lower voltage dropVCES TVJ = 25C to 150C 1600 V- fast switching for high frequ
ixbf42n300.pdf
Preliminary Technical InformationHigh Voltage, BiMOSFETTMVCES = 3000VIXBF42N300Monolithic Bipolar MOSIC110 = 24ATransistorVCE(sat) 3.0V(Electrically Isolated Tab)ISOPLUS i4-PakTMSymbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TC = 25C to 150C 3000 VVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 3000 VVGES Continuous 25 V12VGEM Transient 35 V
Otros transistores... IXA37IF1200HJ , IXA40PG1200DHGLB , IXA45IF1200HB , IXA55I1200HJ , IXA60IF1200NA , IXBF12N300 , IXBF20N300 , IXBF32N300 , TGPF30N43P , IXBF42N300 , IXBF55N300 , IXBF9N160G , IXBH10N170 , IXBH12N300 , IXBH16N170 , IXBH16N170A , IXBH20N300 .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores
IGBT: AOTS40B65H1 | AOTF8B65MQ1 | AOTF5B65M2 | AOTF5B65M1 | AOTF20B65M2 | AOTF20B65M1 | AOTF20B65LN2 | AOTF15B65MQ1 | AOTF15B65M3 | AOTF15B65M2 | AOTF15B60D2