CT20VM-8 Todos los transistores

 

CT20VM-8 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CT20VM-8
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 400 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 30 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 130(pulse) A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   Paquete / Cubierta: TO220C
     - Selección de transistores por parámetros

 

CT20VM-8 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:26K  mitsubishi
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CT20VM-8

MITSUBISHI INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTORCT20VSL-8STROBE FLASHER USECT20VSL-8 OUTLINE DRAWING Dimensions in mmr 10.5MAX. 4.51.3+0.30 0150.50.8q w ewrq GATEq w COLLECTORe EMITTERr COLLECTOReVCES ............................................................................... 400VICM .................................................................

 9.2. Size:29K  mitsubishi
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CT20VM-8

MITSUBISHI INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTORCT20VS-8STROBE FLASHER USECT20VS-8 OUTLINE DRAWING Dimensions in mmr 10.5MAX. 4.51.3+0.30 0150.50.8q w ewrq GATEq w COLLECTORe EMITTERr COLLECTOReVCES ............................................................................... 400VICM ...................................................................

Otros transistores... BUK856-800A , BUK866-400IZ , CM75DY-28H , CT15SM-24 , CT20AS-8 , CT20ASJ-8 , CT20ASL-8 , CT20TM-8 , FGA60N65SMD , CT20VML-8 , CT20VS-8 , CT20VSL-8 , CT25AS-8 , CT25ASJ-8 , CT30SM-12 , CT30TM-8 , CT30VM-8 .

History: DDB6U180N16RR-B11 | IXYH40N65C3H1 | IKW40N65F5 | HGTP3N60C3 | JNG40T65HYU1 | CM300DU-12F | GA125TS120U

 

 
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