CT20VM-8 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CT20VM-8
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 400 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 30 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 130(pulse) A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
Paquete / Cubierta: TO220C
Búsqueda de reemplazo de CT20VM-8 - IGBT
CT20VM-8 Datasheet (PDF)
ct20vsl-8.pdf
MITSUBISHI INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTORCT20VSL-8STROBE FLASHER USECT20VSL-8 OUTLINE DRAWING Dimensions in mmr 10.5MAX. 4.51.3+0.30 0150.50.8q w ewrq GATEq w COLLECTORe EMITTERr COLLECTOReVCES ............................................................................... 400VICM .................................................................
ct20vs-8.pdf
MITSUBISHI INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTORCT20VS-8STROBE FLASHER USECT20VS-8 OUTLINE DRAWING Dimensions in mmr 10.5MAX. 4.51.3+0.30 0150.50.8q w ewrq GATEq w COLLECTORe EMITTERr COLLECTOReVCES ............................................................................... 400VICM ...................................................................
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Liste
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