Справочник IGBT. CT20VM-8

 

CT20VM-8 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: CT20VM-8
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 400 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 130(pulse) A @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   Тип корпуса: TO220C
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

CT20VM-8 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:26K  mitsubishi
 ct20vsl-8.pdf pdf_icon

CT20VM-8

MITSUBISHI INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTORCT20VSL-8STROBE FLASHER USECT20VSL-8 OUTLINE DRAWING Dimensions in mmr 10.5MAX. 4.51.3+0.30 0150.50.8q w ewrq GATEq w COLLECTORe EMITTERr COLLECTOReVCES ............................................................................... 400VICM .................................................................

 9.2. Size:29K  mitsubishi
 ct20vs-8.pdf pdf_icon

CT20VM-8

MITSUBISHI INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTORCT20VS-8STROBE FLASHER USECT20VS-8 OUTLINE DRAWING Dimensions in mmr 10.5MAX. 4.51.3+0.30 0150.50.8q w ewrq GATEq w COLLECTORe EMITTERr COLLECTOReVCES ............................................................................... 400VICM ...................................................................

Другие IGBT... BUK856-800A , BUK866-400IZ , CM75DY-28H , CT15SM-24 , CT20AS-8 , CT20ASJ-8 , CT20ASL-8 , CT20TM-8 , FGA60N65SMD , CT20VML-8 , CT20VS-8 , CT20VSL-8 , CT25AS-8 , CT25ASJ-8 , CT30SM-12 , CT30TM-8 , CT30VM-8 .

History: BLG60T65FDK-F | IXYH40N65C3H1 | IKW40N65F5 | DDB6U180N16RR-B11 | JNG40T65HYU1 | CM300DU-12F

 

 
Back to Top

 


 
.