IXBH32N300 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXBH32N300

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 400 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 3000 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 80 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.8 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 185 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 124 pF

Encapsulados: TO247

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IXBH32N300 datasheet

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IXBH32N300

Preliminary Technical Information High Voltage, High Gain VCES = 3000V IXBH32N300 BIMOSFETTM Monolithic IXBT32N300 IC110 = 32A Bipolar MOS Transistor VCE(sat) 3.2V TO-247 (IXBH) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TC = 25 C to 150 C 3000 V G C (TAB) VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 3000 V C E VGES Continuous 20 V VGEM Transient 30 V

Otros transistores... IXBH10N170, IXBH12N300, IXBH16N170, IXBH16N170A, IXBH20N300, IXBH24N170, IXBH28N170A, IXBH2N250, NGTB75N65FL2, IXBH40N160, IXBH42N170, IXBH42N170A, IXBH5N160G, IXBH6N170, IXBH9N160G, IXBK55N300, IXBK64N250