IXBH32N300 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IXBH32N300
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 400 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 3000 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 80 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.8 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 5 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 185 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 124 pF
Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 142 nC
Paquete / Cubierta: TO247
Búsqueda de reemplazo de IXBH32N300 - IGBT
IXBH32N300 Datasheet (PDF)
ixbh32n300.pdf
Preliminary Technical InformationHigh Voltage, High GainVCES = 3000VIXBH32N300BIMOSFETTM MonolithicIXBT32N300IC110 = 32ABipolar MOS TransistorVCE(sat) 3.2VTO-247 (IXBH)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TC = 25C to 150C 3000 VGC (TAB)VCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 3000 VCEVGES Continuous 20 VVGEM Transient 30 V
Otros transistores... IXBH10N170 , IXBH12N300 , IXBH16N170 , IXBH16N170A , IXBH20N300 , IXBH24N170 , IXBH28N170A , IXBH2N250 , FGL60N100BNTD , IXBH40N160 , IXBH42N170 , IXBH42N170A , IXBH5N160G , IXBH6N170 , IXBH9N160G , IXBK55N300 , IXBK64N250 .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores
IGBT: AOTS40B65H1 | AOTF8B65MQ1 | AOTF5B65M2 | AOTF5B65M1 | AOTF20B65M2 | AOTF20B65M1 | AOTF20B65LN2 | AOTF15B65MQ1 | AOTF15B65M3 | AOTF15B65M2 | AOTF15B60D2