IXBH32N300 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: IXBH32N300

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 400 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 3000 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 80 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.8 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 185 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 124 pF

Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для IXBH32N300

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IXBH32N300 даташит

 ..1. Size:172K  ixys
 ixbh32n300.pdf pdf_icon

IXBH32N300

Preliminary Technical Information High Voltage, High Gain VCES = 3000V IXBH32N300 BIMOSFETTM Monolithic IXBT32N300 IC110 = 32A Bipolar MOS Transistor VCE(sat) 3.2V TO-247 (IXBH) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TC = 25 C to 150 C 3000 V G C (TAB) VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 3000 V C E VGES Continuous 20 V VGEM Transient 30 V

Другие IGBT... IXBH10N170, IXBH12N300, IXBH16N170, IXBH16N170A, IXBH20N300, IXBH24N170, IXBH28N170A, IXBH2N250, NGTB75N65FL2, IXBH40N160, IXBH42N170, IXBH42N170A, IXBH5N160G, IXBH6N170, IXBH9N160G, IXBK55N300, IXBK64N250