IXBH5N160G Todos los transistores

 

IXBH5N160G - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXBH5N160G
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 68 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1600 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 5.7 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 4.9 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 200 nS
   Paquete / Cubierta: TO247
     - Selección de transistores por parámetros

 

IXBH5N160G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:24K  ixys
 ixbp5n160g ixbh5n160g.pdf pdf_icon

IXBH5N160G

IXBP 5N160 GIC25 = 5.7 AHigh VoltageIXBH 5N160 GVCES = 1600 VBIMOSFETTMVCE(sat) = 4.9 Vtf = 70 nsMonolithic Bipolar MOS TransistorCTO-220 AB (IXBP)Preliminary data sheetGCC (TAB)EGTO-247 AD (IXBH)EGCC (TAB)EA = Anode, C = Cathode , TAB = Cathode IGBTFeaturesSymbol Conditions Maximum Ratings High Voltage BIMOSFETTM- substitute for high v

 ..2. Size:28K  ixys
 ixbh5n160g.pdf pdf_icon

IXBH5N160G

IXBP 5N160 GIC25 = 5.7 AHigh VoltageIXBH 5N160 GVCES = 1600 VBIMOSFETTMVCE(sat) = 4.9 Vtf = 70 nsMonolithic Bipolar MOS TransistorCTO-220 AB (IXBP)Preliminary data sheetGCC (TAB)EGTO-247 AD (IXBH)EGCC (TAB)EA = Anode, C = Cathode , TAB = Cathode IGBTFeaturesSymbol Conditions Maximum Ratings High Voltage BIMOSFETTM- substitute for high v

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History: DM2G150SH12AE | TT060U065FB | SPM1003 | APT15GT60KR

 

 
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