IXBH5N160G IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXBH5N160G

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 68 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1600 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 5.7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 4.9 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 200 nS

Encapsulados: TO247

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IXBH5N160G datasheet

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IXBH5N160G

IXBP 5N160 G IC25 = 5.7 A High Voltage IXBH 5N160 G VCES = 1600 V BIMOSFETTM VCE(sat) = 4.9 V tf = 70 ns Monolithic Bipolar MOS Transistor C TO-220 AB (IXBP) Preliminary data sheet G C C (TAB) E G TO-247 AD (IXBH) E G C C (TAB) E A = Anode, C = Cathode , TAB = Cathode IGBT Features Symbol Conditions Maximum Ratings High Voltage BIMOSFETTM - substitute for high v

 ..2. Size:28K  ixys
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IXBH5N160G

IXBP 5N160 G IC25 = 5.7 A High Voltage IXBH 5N160 G VCES = 1600 V BIMOSFETTM VCE(sat) = 4.9 V tf = 70 ns Monolithic Bipolar MOS Transistor C TO-220 AB (IXBP) Preliminary data sheet G C C (TAB) E G TO-247 AD (IXBH) E G C C (TAB) E A = Anode, C = Cathode , TAB = Cathode IGBT Features Symbol Conditions Maximum Ratings High Voltage BIMOSFETTM - substitute for high v

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