IXBN42N170A IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IXBN42N170A
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 312 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1700 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 42 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 4.5 V @25℃
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 35 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 170 pF
Paquete / Cubierta: SOT227B
Búsqueda de reemplazo de IXBN42N170A IGBT
IXBN42N170A datasheet
ixbn42n170a.pdf
Advance Technical Information BIMOSFETTM Monolithic IXBN 42N170A VCES = 1700 V Bipolar MOS Transistor IC25 = 42 A VCE(sat) = 6.0 V tfi = 50 ns Symbol Test Conditions Maximum Ratings miniBLOC, SOT-227 B (IXBN) E153432 VCES TJ = 25 C to 150 C 1700 V E VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 M 1700 V G VGES Continuous 20 V VGEM Transient 30 V E IC25 TC = 25 C42 A C IC90 TC =
Otros transistores... IXBH5N160G , IXBH6N170 , IXBH9N160G , IXBK55N300 , IXBK64N250 , IXBK75N170 , IXBK75N170A , IXBL64N250 , GT30F125 , IXBN75N170 , IXBN75N170A , IXBP5N160G , IXBR42N170 , IXBT10N170 , IXBT12N300 , IXBT16N170 , IXBT16N170A .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
k3563 | d882p | 2sb1560 | 2n1304 | 2sa979 | 2sc4793 | d965 | mje15031