IXBN75N170A - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IXBN75N170A
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 625 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1700 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 75 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 4.95 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 5.5 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 40 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 450 pF
Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 358 nC
Paquete / Cubierta: SOT227B
- Selección de transistores por parámetros
IXBN75N170A Datasheet (PDF)
ixbn75n170a.pdf
Preliminary Technical InformationBiMOSFETTM Monolithic VCES = 1700VIXBN75N170ABipolar MOS Transistor IC90 = 42AVCE(sat) 6.00Vtfi(typ) = 60nsSOT-227B, miniBLOC E153432Symbol Test Conditions Maximum RatingsE VCES TJ = 25C to 150C 1700 VGVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 1700 VVGES Continuous 20 VVGEM Transient 30 VE IC25 TC = 2
ixbn75n170.pdf
Preliminary Technical InformationBiMOSFETTM Monolithic VCES = 1700VIXBN75N170Bipolar MOS Transistor IC90 = 75AVCE(sat) 3.1VSOT-227B, miniBLOC E153432Symbol Test Conditions Maximum RatingsE VCES TJ = 25C to 150C 1700 VGVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 1700 VVGES Continuous 20 VVGEM Transient 30 VE IC25 TC = 25C 145 ACIC90
Otros transistores... IXBH9N160G , IXBK55N300 , IXBK64N250 , IXBK75N170 , IXBK75N170A , IXBL64N250 , IXBN42N170A , IXBN75N170 , BT15T120ANF , IXBP5N160G , IXBR42N170 , IXBT10N170 , IXBT12N300 , IXBT16N170 , IXBT16N170A , IXBT20N300 , IXBT24N170 .
Liste
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