IXBN75N170A IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXBN75N170A

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 625 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1700 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 75 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 4.95 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 40 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 450 pF

Encapsulados: SOT227B

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IXBN75N170A datasheet

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IXBN75N170A

Preliminary Technical Information BiMOSFETTM Monolithic VCES = 1700V IXBN75N170A Bipolar MOS Transistor IC90 = 42A VCE(sat) 6.00V tfi(typ) = 60ns SOT-227B, miniBLOC E153432 Symbol Test Conditions Maximum Ratings E VCES TJ = 25 C to 150 C 1700 V G VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 1700 V VGES Continuous 20 V VGEM Transient 30 V E IC25 TC = 2

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IXBN75N170A

Preliminary Technical Information BiMOSFETTM Monolithic VCES = 1700V IXBN75N170 Bipolar MOS Transistor IC90 = 75A VCE(sat) 3.1V SOT-227B, miniBLOC E153432 Symbol Test Conditions Maximum Ratings E VCES TJ = 25 C to 150 C 1700 V G VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 1700 V VGES Continuous 20 V VGEM Transient 30 V E IC25 TC = 25 C 145 A C IC90

Otros transistores... IXBH9N160G, IXBK55N300, IXBK64N250, IXBK75N170, IXBK75N170A, IXBL64N250, IXBN42N170A, IXBN75N170, BT60T60ANFK, IXBP5N160G, IXBR42N170, IXBT10N170, IXBT12N300, IXBT16N170, IXBT16N170A, IXBT20N300, IXBT24N170