IXBR42N170 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IXBR42N170
   Tipo de transistor: IGBT + Diode
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 200 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1700 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 57 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.9(max) V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 5.5 V
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 139 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 225 pF
   Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 188 nC
   Paquete / Cubierta: ISOPLUS247

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IXBR42N170 Datasheet (PDF)

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