IXBR42N170 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXBR42N170

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 200 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1700 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 57 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.9(max) V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 139 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 225 pF

Encapsulados: ISOPLUS247

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IXBR42N170 datasheet

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IXBR42N170

Preliminary Technical Information High Voltage, High Gain IXBR42N170 VCES = 1700V BIMOSFETTM Monolithic IC90 = 32A Bipolar MOS Transistor VCE(sat) 2.9V ISOPLUS247TM Symbol Test Conditions Maximum Ratings E153432 VCES TC = 25 C to 150 C 1700 V VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 1700 V VGES Continuous 20 V G VGEM Transient 30 V Isolated Tab C E

Otros transistores... IXBK64N250, IXBK75N170, IXBK75N170A, IXBL64N250, IXBN42N170A, IXBN75N170, IXBN75N170A, IXBP5N160G, IRG4PF50W, IXBT10N170, IXBT12N300, IXBT16N170, IXBT16N170A, IXBT20N300, IXBT24N170, IXBT28N170A, IXBT2N250