CT20VS-8 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CT20VS-8
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 400 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 30 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 130(pulse) A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Encapsulados: TO220S
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CT20VS-8 datasheet
ct20vs-8.pdf
MITSUBISHI INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR CT20VS-8 STROBE FLASHER USE CT20VS-8 OUTLINE DRAWING Dimensions in mm r 10.5MAX. 4.5 1.3 +0.3 0 0 1 5 0.5 0.8 q w e wr q GATE q w COLLECTOR e EMITTER r COLLECTOR e VCES ............................................................................... 400V ICM ...................................................................
ct20vsl-8.pdf
MITSUBISHI INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR CT20VSL-8 STROBE FLASHER USE CT20VSL-8 OUTLINE DRAWING Dimensions in mm r 10.5MAX. 4.5 1.3 +0.3 0 0 1 5 0.5 0.8 q w e wr q GATE q w COLLECTOR e EMITTER r COLLECTOR e VCES ............................................................................... 400V ICM .................................................................
Otros transistores... CM75DY-28H , CT15SM-24 , CT20AS-8 , CT20ASJ-8 , CT20ASL-8 , CT20TM-8 , CT20VM-8 , CT20VML-8 , IRG7IC28U , CT20VSL-8 , CT25AS-8 , CT25ASJ-8 , CT30SM-12 , CT30TM-8 , CT30VM-8 , CT30VS-8 , CT35SM-8 .
History: IGC28T65QE
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IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
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