IXBT32N300 Todos los transistores

 

IXBT32N300 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXBT32N300
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 400 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 3000 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 80 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.8 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 185 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 124 pF
   Paquete / Cubierta: TO268
 

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IXBT32N300 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:172K  ixys
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IXBT32N300

Preliminary Technical InformationHigh Voltage, High GainVCES = 3000VIXBH32N300BIMOSFETTM MonolithicIXBT32N300IC110 = 32ABipolar MOS TransistorVCE(sat) 3.2VTO-247 (IXBH)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TC = 25C to 150C 3000 VGC (TAB)VCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 3000 VCEVGES Continuous 20 VVGEM Transient 30 V

Otros transistores... IXBT10N170 , IXBT12N300 , IXBT16N170 , IXBT16N170A , IXBT20N300 , IXBT24N170 , IXBT28N170A , IXBT2N250 , IRGP4063 , IXBT42N170 , IXBT42N170A , IXBT6N170 , IXBX25N250 , IXBX55N300 , IXBX64N250 , IXBX75N170 , IXBX75N170A .

History: DAZF100G170XCA | MMG75S170B6EN | STGF20H60DF | TGH60N65F2DR | YGW15N120F1A | IGC07T120T6L | IRG4BC20K

 

 
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