CT25AS-8 Todos los transistores

 

CT25AS-8 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CT25AS-8

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 400 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 30 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 150(pulse) A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Encapsulados: MP3

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CT25AS-8 datasheet

 ..1. Size:28K  mitsubishi
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CT25AS-8

MITSUBISHI INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR CT25AS-8 STROBE FLASHER USE CT25AS-8 OUTLINE DRAWING Dimensions in mm 6.5 0.5 0.1 5.0 0.2 4 1.0 0.9MAX. 0.5 0.2 2.3 2.3 0.8 1 2 3 wr q GATE q w COLLECTOR e EMITTER r COLLECTOR e VCES ................................................................................400V ICM ..............................................

Otros transistores... CT20AS-8 , CT20ASJ-8 , CT20ASL-8 , CT20TM-8 , CT20VM-8 , CT20VML-8 , CT20VS-8 , CT20VSL-8 , IRGP4063D , CT25ASJ-8 , CT30SM-12 , CT30TM-8 , CT30VM-8 , CT30VS-8 , CT35SM-8 , CT40TMH-8 , CT60AM-18B .

 

 

 


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IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE

 

 

 

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