IXDR30N120 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXDR30N120

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 200 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 50 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.4 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 70 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 250 pF

Encapsulados: ISOPLUS247

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IXDR30N120 datasheet

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IXDR 30N120 D1 IXDR 30N120 VCES = 1200 V High Voltage IGBT IC25 = 50 A with optional Diode VCE(sat) typ = 2.4 V ISOPLUSTM package (Electrically Isolated Back Side) C C ISOPLUS 247TM Short Circuit SOA Capability E153432 Square RBSOA G G G C E E E Isolated Backside* IXDR 30N120 IXDR 30N120 D1 G = Gate C = Collector E = Emitter Symbol Conditions Maximum Ratings Features

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IXDR 35N60 BD1 VCES = 600 V IGBT IC25 = 38 A with optional Diode VCE(sat) typ= 2.2 V High Speed, Low Saturation Voltage C ISOPLUS 247TM G G C E Isolated back surface E G = Gate, E = Emitter C = Collector , TAB = Collector Symbol Conditions Maximum Ratings Features NPT IGBT technology VCES TJ = 25 C to 150 C 600 V low switching losses VCGR TJ = 25 C to 150 C;

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