Справочник IGBT. IXDR30N120

 

IXDR30N120 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IXDR30N120
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 50 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.4 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.5 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 70 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 250 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 120 nC
   Тип корпуса: ISOPLUS247

 Аналог (замена) для IXDR30N120

 

 

IXDR30N120 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:89K  ixys
 ixdr30n120.pdf

IXDR30N120 IXDR30N120

IXDR 30N120 D1IXDR 30N120VCES = 1200 VHigh Voltage IGBTIC25 = 50 Awith optional DiodeVCE(sat) typ = 2.4 VISOPLUSTM package(Electrically Isolated Back Side)C CISOPLUS 247TMShort Circuit SOA Capability E153432Square RBSOAG GGCEE EIsolated Backside*IXDR 30N120 IXDR 30N120 D1G = Gate C = Collector E = EmitterSymbol Conditions Maximum Ratings Features

 0.1. Size:89K  ixys
 ixdr30n120d1.pdf

IXDR30N120 IXDR30N120

IXDR 30N120 D1IXDR 30N120VCES = 1200 VHigh Voltage IGBTIC25 = 50 Awith optional DiodeVCE(sat) typ = 2.4 VISOPLUSTM package(Electrically Isolated Back Side)C CISOPLUS 247TMShort Circuit SOA Capability E153432Square RBSOAG GGCEE EIsolated Backside*IXDR 30N120 IXDR 30N120 D1G = Gate C = Collector E = EmitterSymbol Conditions Maximum Ratings Features

 9.1. Size:115K  ixys
 ixdr35n60bd1.pdf

IXDR30N120 IXDR30N120

IXDR 35N60 BD1VCES = 600 VIGBTIC25 = 38 Awith optional DiodeVCE(sat) typ= 2.2 VHigh Speed,Low Saturation VoltageCISOPLUS 247TMGGCEIsolated back surfaceEG = Gate, E = EmitterC = Collector , TAB = CollectorSymbol Conditions Maximum Ratings FeaturesNPT IGBT technologyVCES TJ = 25C to 150C 600 Vlow switching lossesVCGR TJ = 25C to 150C;

Другие IGBT... IXBX64N250 , IXBX75N170 , IXBX75N170A , IXDH35N60B , IXDH35N60BD1 , IXDP20N60B , IXDP20N60BD1 , IXDP35N60B , SGT40N60NPFDPN , IXDR30N120D1 , IXDR35N60BD1 , IXEH25N120 , IXEH25N120D1 , IXEH40N120 , IXEH40N120D1 , IXEL40N400 , IXEN60N120 .

 

 
Back to Top