IXDR35N60BD1 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IXDR35N60BD1
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 125 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 38 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.2 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 5 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 45 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 150 pF
Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 140 nC
Paquete / Cubierta: ISOPLUS247
Búsqueda de reemplazo de IXDR35N60BD1 - IGBT
IXDR35N60BD1 Datasheet (PDF)
ixdr35n60bd1.pdf
IXDR 35N60 BD1VCES = 600 VIGBTIC25 = 38 Awith optional DiodeVCE(sat) typ= 2.2 VHigh Speed,Low Saturation VoltageCISOPLUS 247TMGGCEIsolated back surfaceEG = Gate, E = EmitterC = Collector , TAB = CollectorSymbol Conditions Maximum Ratings FeaturesNPT IGBT technologyVCES TJ = 25C to 150C 600 Vlow switching lossesVCGR TJ = 25C to 150C;
ixdr30n120.pdf
IXDR 30N120 D1IXDR 30N120VCES = 1200 VHigh Voltage IGBTIC25 = 50 Awith optional DiodeVCE(sat) typ = 2.4 VISOPLUSTM package(Electrically Isolated Back Side)C CISOPLUS 247TMShort Circuit SOA Capability E153432Square RBSOAG GGCEE EIsolated Backside*IXDR 30N120 IXDR 30N120 D1G = Gate C = Collector E = EmitterSymbol Conditions Maximum Ratings Features
ixdr30n120d1.pdf
IXDR 30N120 D1IXDR 30N120VCES = 1200 VHigh Voltage IGBTIC25 = 50 Awith optional DiodeVCE(sat) typ = 2.4 VISOPLUSTM package(Electrically Isolated Back Side)C CISOPLUS 247TMShort Circuit SOA Capability E153432Square RBSOAG GGCEE EIsolated Backside*IXDR 30N120 IXDR 30N120 D1G = Gate C = Collector E = EmitterSymbol Conditions Maximum Ratings Features
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Liste
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