IXDR35N60BD1 - аналоги, основные параметры, даташиты
Наименование: IXDR35N60BD1
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Предельные значения
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 38 A @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
Электрические характеристики
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.2 V @25℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 45 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 150 pF
Тип корпуса: ISOPLUS247
Аналог (замена) для IXDR35N60BD1
- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам
IXDR35N60BD1 даташит
ixdr35n60bd1.pdf
IXDR 35N60 BD1 VCES = 600 V IGBT IC25 = 38 A with optional Diode VCE(sat) typ= 2.2 V High Speed, Low Saturation Voltage C ISOPLUS 247TM G G C E Isolated back surface E G = Gate, E = Emitter C = Collector , TAB = Collector Symbol Conditions Maximum Ratings Features NPT IGBT technology VCES TJ = 25 C to 150 C 600 V low switching losses VCGR TJ = 25 C to 150 C;
ixdr30n120.pdf
IXDR 30N120 D1 IXDR 30N120 VCES = 1200 V High Voltage IGBT IC25 = 50 A with optional Diode VCE(sat) typ = 2.4 V ISOPLUSTM package (Electrically Isolated Back Side) C C ISOPLUS 247TM Short Circuit SOA Capability E153432 Square RBSOA G G G C E E E Isolated Backside* IXDR 30N120 IXDR 30N120 D1 G = Gate C = Collector E = Emitter Symbol Conditions Maximum Ratings Features
ixdr30n120d1.pdf
IXDR 30N120 D1 IXDR 30N120 VCES = 1200 V High Voltage IGBT IC25 = 50 A with optional Diode VCE(sat) typ = 2.4 V ISOPLUSTM package (Electrically Isolated Back Side) C C ISOPLUS 247TM Short Circuit SOA Capability E153432 Square RBSOA G G G C E E E Isolated Backside* IXDR 30N120 IXDR 30N120 D1 G = Gate C = Collector E = Emitter Symbol Conditions Maximum Ratings Features
Другие IGBT... IXBX75N170A, IXDH35N60B, IXDH35N60BD1, IXDP20N60B, IXDP20N60BD1, IXDP35N60B, IXDR30N120, IXDR30N120D1, RJP30H2A, IXEH25N120, IXEH25N120D1, IXEH40N120, IXEH40N120D1, IXEL40N400, IXEN60N120, IXEN60N120D1, IXER20N120
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
2sd330 | 20n60 | ksa1013 | mje15032g datasheet | 2sc2166 | 2sc5198 | 2sc1971 | tip41c transistor datasheet



