IXEH25N120D1 Todos los transistores

 

IXEH25N120D1 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXEH25N120D1
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 200 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 36 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.6 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 105 nS
   Paquete / Cubierta: TO247
 

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IXEH25N120D1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:176K  ixys
 ixeh25n120 ixeh25n120d1.pdf pdf_icon

IXEH25N120D1

IXEH 25N120IXEH 25N120D1IC25 = 36 ANPT3 IGBTVCES = 1200 VVCE(sat) typ = 2.6 VC CTO-247 ADG GGE ECC (TAB)EIXEH 25N120 IXEH 25N120D1Features IGBT NPT3 IGBTSymbol Conditions Maximum Ratings - positive temperature coefficient ofsaturation voltage for easy parallelingVCES TVJ = 25C to 150C 1200 V- fast switching- short tail current for optimized

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History: 2MBI100N-060 | SKB06N60HS | VS-GB75LP120N | IXER20N120 | NGTB30N120IHS | SKM300GAY123D | STGW80V60DF

 

 
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