IXEH25N120D1 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IXEH25N120D1
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 200 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 36 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.6 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6.5 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 105 nS
Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 100 nC
Paquete / Cubierta: TO247
Búsqueda de reemplazo de IXEH25N120D1 - IGBT
IXEH25N120D1 Datasheet (PDF)
ixeh25n120 ixeh25n120d1.pdf
IXEH 25N120IXEH 25N120D1IC25 = 36 ANPT3 IGBTVCES = 1200 VVCE(sat) typ = 2.6 VC CTO-247 ADG GGE ECC (TAB)EIXEH 25N120 IXEH 25N120D1Features IGBT NPT3 IGBTSymbol Conditions Maximum Ratings - positive temperature coefficient ofsaturation voltage for easy parallelingVCES TVJ = 25C to 150C 1200 V- fast switching- short tail current for optimized
Otros transistores... IXDH35N60BD1 , IXDP20N60B , IXDP20N60BD1 , IXDP35N60B , IXDR30N120 , IXDR30N120D1 , IXDR35N60BD1 , IXEH25N120 , CRG40T60AN3H , IXEH40N120 , IXEH40N120D1 , IXEL40N400 , IXEN60N120 , IXEN60N120D1 , IXER20N120 , IXER20N120D1 , IXER35N120D1 .
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