IXEH25N120D1 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: IXEH25N120D1

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 36 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.6 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 105 nS

Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для IXEH25N120D1

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IXEH25N120D1 даташит

 ..1. Size:176K  ixys
 ixeh25n120 ixeh25n120d1.pdf pdf_icon

IXEH25N120D1

IXEH 25N120 IXEH 25N120D1 IC25 = 36 A NPT3 IGBT VCES = 1200 V VCE(sat) typ = 2.6 V C C TO-247 AD G G G E E C C (TAB) E IXEH 25N120 IXEH 25N120D1 Features IGBT NPT3 IGBT Symbol Conditions Maximum Ratings - positive temperature coefficient of saturation voltage for easy paralleling VCES TVJ = 25 C to 150 C 1200 V - fast switching - short tail current for optimized

Другие IGBT... IXDH35N60BD1, IXDP20N60B, IXDP20N60BD1, IXDP35N60B, IXDR30N120, IXDR30N120D1, IXDR35N60BD1, IXEH25N120, FGA25N120ANTD, IXEH40N120, IXEH40N120D1, IXEL40N400, IXEN60N120, IXEN60N120D1, IXER20N120, IXER20N120D1, IXER35N120D1