Справочник IGBT. IXEH25N120D1

 

IXEH25N120D1 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IXEH25N120D1
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 36 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.6 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.5 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 105 nS
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 100 nC
   Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для IXEH25N120D1

 

 

IXEH25N120D1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:176K  ixys
 ixeh25n120 ixeh25n120d1.pdf

IXEH25N120D1 IXEH25N120D1

IXEH 25N120IXEH 25N120D1IC25 = 36 ANPT3 IGBTVCES = 1200 VVCE(sat) typ = 2.6 VC CTO-247 ADG GGE ECC (TAB)EIXEH 25N120 IXEH 25N120D1Features IGBT NPT3 IGBTSymbol Conditions Maximum Ratings - positive temperature coefficient ofsaturation voltage for easy parallelingVCES TVJ = 25C to 150C 1200 V- fast switching- short tail current for optimized

Другие IGBT... IXDH35N60BD1 , IXDP20N60B , IXDP20N60BD1 , IXDP35N60B , IXDR30N120 , IXDR30N120D1 , IXDR35N60BD1 , IXEH25N120 , CRG40T60AN3H , IXEH40N120 , IXEH40N120D1 , IXEL40N400 , IXEN60N120 , IXEN60N120D1 , IXER20N120 , IXER20N120D1 , IXER35N120D1 .

 

 
Back to Top