IXEL40N400 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXEL40N400

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 380 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 400 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 40(90C) A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 125 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.5 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 100 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 280 pF

Encapsulados: ISOPLUS-I5-PAK

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IXEL40N400 datasheet

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IXEL40N400

Preliminary Technical Information VCES = 4000V Very High Voltage IXEL40N400 IC90 = 40A IGBT VCE(sat) 3.5V tfi(typ) = 425ns ( Electrically Isolated Tab) ISOPLUS i5-PakTM Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TJ = 25 C to 125 C 4000 V G VGES Continuous 20 V E Isolated Tab C VGEM Transient 30 V IC90 TC = 90 C 40 A G = Gate C = Collector ICM

Otros transistores... IXDP35N60B, IXDR30N120, IXDR30N120D1, IXDR35N60BD1, IXEH25N120, IXEH25N120D1, IXEH40N120, IXEH40N120D1, RJP30E2DPP-M0, IXEN60N120, IXEN60N120D1, IXER20N120, IXER20N120D1, IXER35N120D1, IXER60N120, IXGA12N120A2, IXGA12N120A3