IXEN60N120 Todos los transistores

 

IXEN60N120 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXEN60N120
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 445 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 100 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.1 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 50 nS
   Paquete / Cubierta: SOT227B
     - Selección de transistores por parámetros

 

IXEN60N120 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:199K  ixys
 ixen60n120 ixen60n120d1.pdf pdf_icon

IXEN60N120

IXEN 60N120IXEN 60N120D1IC25 = 100 ANPT3 IGBTVCES = 1200 Vin miniBLOC packageVCE(sat) typ. = 2.1 VC CminiBLOC, SOT-227 BE E153432GGGE EC = CollectorEG = Gate IXEN 60N120 IXEN 60N120D1CE = Emitter ** Either Emitter terminal can be used as Main or Kelvin EmitterFeatures IGBT NPT3 IGBTSymbol Conditions Maximum Ratings - low saturation voltage-

Otros transistores... IXDR30N120 , IXDR30N120D1 , IXDR35N60BD1 , IXEH25N120 , IXEH25N120D1 , IXEH40N120 , IXEH40N120D1 , IXEL40N400 , FGA25N120ANTD , IXEN60N120D1 , IXER20N120 , IXER20N120D1 , IXER35N120D1 , IXER60N120 , IXGA12N120A2 , IXGA12N120A3 , IXGA12N60B .

History: HGTP2N120CND | IXGR32N170AH1 | APT50GT120B2RDLG | VWI15-12P1 | NTE3311 | 1MB10D-120

 

 
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