IXEN60N120 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IXEN60N120
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 445 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 100 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.1 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6.5 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 50 nS
Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 350 nC
Paquete / Cubierta: SOT227B
Búsqueda de reemplazo de IXEN60N120 - IGBT
IXEN60N120 Datasheet (PDF)
ixen60n120 ixen60n120d1.pdf
IXEN 60N120IXEN 60N120D1IC25 = 100 ANPT3 IGBTVCES = 1200 Vin miniBLOC packageVCE(sat) typ. = 2.1 VC CminiBLOC, SOT-227 BE E153432GGGE EC = CollectorEG = Gate IXEN 60N120 IXEN 60N120D1CE = Emitter ** Either Emitter terminal can be used as Main or Kelvin EmitterFeatures IGBT NPT3 IGBTSymbol Conditions Maximum Ratings - low saturation voltage-
Otros transistores... IXDR30N120 , IXDR30N120D1 , IXDR35N60BD1 , IXEH25N120 , IXEH25N120D1 , IXEH40N120 , IXEH40N120D1 , IXEL40N400 , BT40T60ANF , IXEN60N120D1 , IXER20N120 , IXER20N120D1 , IXER35N120D1 , IXER60N120 , IXGA12N120A2 , IXGA12N120A3 , IXGA12N60B .
Liste
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