IXEN60N120D1 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXEN60N120D1

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 445 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 100 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.1 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 50 nS

Encapsulados: SOT227B

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IXEN60N120D1 datasheet

 ..1. Size:199K  ixys
 ixen60n120 ixen60n120d1.pdf pdf_icon

IXEN60N120D1

IXEN 60N120 IXEN 60N120D1 IC25 = 100 A NPT3 IGBT VCES = 1200 V in miniBLOC package VCE(sat) typ. = 2.1 V C C miniBLOC, SOT-227 B E E153432 G G G E E C = Collector E G = Gate IXEN 60N120 IXEN 60N120D1 C E = Emitter * * Either Emitter terminal can be used as Main or Kelvin Emitter Features IGBT NPT3 IGBT Symbol Conditions Maximum Ratings - low saturation voltage -

Otros transistores... IXDR30N120D1, IXDR35N60BD1, IXEH25N120, IXEH25N120D1, IXEH40N120, IXEH40N120D1, IXEL40N400, IXEN60N120, RJP30H1DPD, IXER20N120, IXER20N120D1, IXER35N120D1, IXER60N120, IXGA12N120A2, IXGA12N120A3, IXGA12N60B, IXGA14N120B