IXER35N120D1 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXER35N120D1

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 200 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 50 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.2 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 50 nS

Encapsulados: ISOPLUS247

 Búsqueda de reemplazo de IXER35N120D1 IGBT

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

IXER35N120D1 datasheet

 ..1. Size:237K  ixys
 ixer35n120d1.pdf pdf_icon

IXER35N120D1

IXER 35N120D1 IC25 = 50A NPT3 IGBT VCES =1200V with Diode VCE(sat) typ. = 2.2V in ISOPLUS247TM C ISOPLUS 247TM E153432 G G C E Isolated Backside E G = Gate C = Collector E = Emitter IGBT Features NPT3 IGBT Symbol Conditions Maximum Ratings - low saturation voltage - positive temperature coefficient for VCES TVJ = 25 C to 150 C 1200 V easy paralleling VGES 20

Otros transistores... IXEH25N120D1, IXEH40N120, IXEH40N120D1, IXEL40N400, IXEN60N120, IXEN60N120D1, IXER20N120, IXER20N120D1, SGT50T65FD1PN, IXER60N120, IXGA12N120A2, IXGA12N120A3, IXGA12N60B, IXGA14N120B, IXGA15N120B2, IXGA16N60B2, IXGA16N60B2D1