IXER35N120D1 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IXER35N120D1
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 200 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 50 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.2 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6.5 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 50 nS
Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 150 nC
Paquete / Cubierta: ISOPLUS247
Búsqueda de reemplazo de IXER35N120D1 - IGBT
IXER35N120D1 Datasheet (PDF)
ixer35n120d1.pdf
IXER 35N120D1IC25 = 50ANPT3 IGBTVCES =1200Vwith DiodeVCE(sat) typ. = 2.2Vin ISOPLUS247TMCISOPLUS 247TM E153432GGCEIsolated BacksideEG = Gate C = Collector E = Emitter IGBT Features NPT3 IGBTSymbol Conditions Maximum Ratings- low saturation voltage- positive temperature coefficient forVCES TVJ = 25C to 150C 1200 V easy parallelingVGES 20
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Liste
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