IXER35N120D1 Todos los transistores

 

IXER35N120D1 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXER35N120D1
   Tipo de transistor: IGBT + Diode
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 200 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 50 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.2 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6.5 V
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 50 nS
   Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 150 nC
   Paquete / Cubierta: ISOPLUS247
     - Selección de transistores por parámetros

 

IXER35N120D1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:237K  ixys
 ixer35n120d1.pdf pdf_icon

IXER35N120D1

IXER 35N120D1IC25 = 50ANPT3 IGBTVCES =1200Vwith DiodeVCE(sat) typ. = 2.2Vin ISOPLUS247TMCISOPLUS 247TM E153432GGCEIsolated BacksideEG = Gate C = Collector E = Emitter IGBT Features NPT3 IGBTSymbol Conditions Maximum Ratings- low saturation voltage- positive temperature coefficient forVCES TVJ = 25C to 150C 1200 V easy parallelingVGES 20

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