IXER60N120 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXER60N120

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 375 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 95 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.1 V @25℃

|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6.5 V

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 50 nS

Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 350 nC

Encapsulados: ISOPLUS247

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IXER60N120 datasheet

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IXER60N120

IXER 60N120 IC25 = 95 A NPT3 IGBT VCES = 1200 V in ISOPLUS 247TM VCE(sat) typ. = 2.1 V C ISOPLUS 247TM E153432 G G C E Isolated Backside E G = Gate C = Collector E = Emitter IGBT Features Symbol Conditions Maximum Ratings NPT3 IGBT - low saturation voltage VCES TVJ = 25 C to 150 C 1200 V - positive temperature coefficient for easy paralleling VGES 20 V - fast

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