IXER60N120 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IXER60N120
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 375 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 95 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.1 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6.5 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 50 nS
Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 350 nC
Paquete / Cubierta: ISOPLUS247
Búsqueda de reemplazo de IXER60N120 - IGBT
IXER60N120 Datasheet (PDF)
ixer60n120.pdf
IXER 60N120IC25 = 95 ANPT3 IGBTVCES = 1200 Vin ISOPLUS 247TMVCE(sat) typ. = 2.1 VCISOPLUS 247TM E153432GGCEIsolated BacksideEG = Gate C = Collector E = Emitter IGBT FeaturesSymbol Conditions Maximum Ratings NPT3 IGBT- low saturation voltageVCES TVJ = 25C to 150C 1200 V- positive temperature coefficient for easy parallelingVGES 20 V- fast
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Liste
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