IXER60N120 Todos los transistores

 

IXER60N120 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXER60N120
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 375 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 95 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.1 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 50 nS
   Paquete / Cubierta: ISOPLUS247
     - Selección de transistores por parámetros

 

IXER60N120 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:262K  ixys
 ixer60n120.pdf pdf_icon

IXER60N120

IXER 60N120IC25 = 95 ANPT3 IGBTVCES = 1200 Vin ISOPLUS 247TMVCE(sat) typ. = 2.1 VCISOPLUS 247TM E153432GGCEIsolated BacksideEG = Gate C = Collector E = Emitter IGBT FeaturesSymbol Conditions Maximum Ratings NPT3 IGBT- low saturation voltageVCES TVJ = 25C to 150C 1200 V- positive temperature coefficient for easy parallelingVGES 20 V- fast

Otros transistores... IXEH40N120 , IXEH40N120D1 , IXEL40N400 , IXEN60N120 , IXEN60N120D1 , IXER20N120 , IXER20N120D1 , IXER35N120D1 , FGH60N60SFD , IXGA12N120A2 , IXGA12N120A3 , IXGA12N60B , IXGA14N120B , IXGA15N120B2 , IXGA16N60B2 , IXGA16N60B2D1 , IXGA16N60C2 .

History: TGH80N65F2DS | APT35GP120B2DQ2G | TGHP75N120FDR | IKFW50N60DH3E | IXGA16N60C2 | APT68GA60LD40 | IXBX75N170

 

 
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