IXGA20N120B3 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IXGA20N120B3
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 180 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 36 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.7 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 5 V
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 31 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 80 pF
   Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 51 nC
   Paquete / Cubierta: TO263

Búsqueda de reemplazo de IXGA20N120B3 - IGBT

IXGA20N120B3 Datasheet (PDF)

..1. Size:210K ixys
ixga20n120b3.pdf

Preliminary Technical InformationVCES = 1200VGenX3TM 1200V IGBTIXGA20N120B3IC90 = 20AIXGP20N120B3VCE(sat) 3.1VHigh Speed Low Vsat PTIGBTs 3-20 kHz SwitchingTO-263 (IXGA)GSymbol Test Conditions Maximum RatingsEC (TAB)VCES TJ = 25C to 150C 1200 VVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 1200 VTO-220 (IXGP)VGES Continuous 20 VVGEM Trans

..2. Size:212K ixys
ixga20n120b3 ixgp20n120b3.pdf

4.1. Size:69K ixys
ixga20n120.pdf

VCES = 1200 VIXGA 20N120IGBTIC25 = 40 AIXGP 20N120VCE(sat) = 2.5 Vtfi(typ) = 380 nsSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-220AB (IXGP)VCES TJ = 25C to 150C 1200 VVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M 1200 VVGES Continuous 20 VGCEVGEM Transient 30 VIC25 TC = 25C40 AIC90 TC = 90C20 ATO-263 AA (IXGA)ICM TC = 25C, 1 ms 80 ASSOA VGE = 15 V, T

4.2. Size:234K ixys
ixga20n120a3.pdf

VCES = 1200VGenX3TM 1200V IGBTs IXGA20N120A3IC110 = 20AIXGP20N120A3VCE(sat) 2.5VIXGH20N120A3 Ultra-Low Vsat PT IGBTs forup to 3 kHz SwitchingTO-263 AA (IXGA)GEC (Tab)Symbol Test Conditions Maximum RatingsTO-220AB (IXGP)VCES TJ = 25C to 150C 1200 VVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 1200 VVGES Continuous 20 VVGEM Transient 30 VG

4.3. Size:236K ixys
ixga20n120a3 ixgh20n120a3 ixgp20n120a3.pdf