Справочник IGBT. IXGA20N120B3

 

IXGA20N120B3 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IXGA20N120B3
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 180 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 36 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.7 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5 V
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 31 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 80 pF
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 51 nC
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для IXGA20N120B3

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IXGA20N120B3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:210K  ixys
 ixga20n120b3.pdf pdf_icon

IXGA20N120B3

Preliminary Technical InformationVCES = 1200VGenX3TM 1200V IGBTIXGA20N120B3IC90 = 20AIXGP20N120B3VCE(sat) 3.1VHigh Speed Low Vsat PTIGBTs 3-20 kHz SwitchingTO-263 (IXGA)GSymbol Test Conditions Maximum RatingsEC (TAB)VCES TJ = 25C to 150C 1200 VVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 1200 VTO-220 (IXGP)VGES Continuous 20 VVGEM Trans

 ..2. Size:212K  ixys
 ixga20n120b3 ixgp20n120b3.pdf pdf_icon

IXGA20N120B3

Preliminary Technical InformationVCES = 1200VGenX3TM 1200V IGBTIXGA20N120B3IC90 = 20AIXGP20N120B3VCE(sat) 3.1VHigh Speed Low Vsat PTIGBTs 3-20 kHz SwitchingTO-263 (IXGA)GSymbol Test Conditions Maximum RatingsEC (TAB)VCES TJ = 25C to 150C 1200 VVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 1200 VTO-220 (IXGP)VGES Continuous 20 VVGEM Trans

 4.1. Size:69K  ixys
 ixga20n120.pdf pdf_icon

IXGA20N120B3

VCES = 1200 VIXGA 20N120IGBTIC25 = 40 AIXGP 20N120VCE(sat) = 2.5 Vtfi(typ) = 380 nsSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-220AB (IXGP)VCES TJ = 25C to 150C 1200 VVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M 1200 VVGES Continuous 20 VGCEVGEM Transient 30 VIC25 TC = 25C40 AIC90 TC = 90C20 ATO-263 AA (IXGA)ICM TC = 25C, 1 ms 80 ASSOA VGE = 15 V, T

 4.2. Size:234K  ixys
 ixga20n120a3.pdf pdf_icon

IXGA20N120B3

VCES = 1200VGenX3TM 1200V IGBTs IXGA20N120A3IC110 = 20AIXGP20N120A3VCE(sat) 2.5VIXGH20N120A3 Ultra-Low Vsat PT IGBTs forup to 3 kHz SwitchingTO-263 AA (IXGA)GEC (Tab)Symbol Test Conditions Maximum RatingsTO-220AB (IXGP)VCES TJ = 25C to 150C 1200 VVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 1200 VVGES Continuous 20 VVGEM Transient 30 VG

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IXGA15N120B2 , IXGA16N60B2 , IXGA16N60B2D1 , IXGA16N60C2 , IXGA16N60C2D1 , IXGA20N100A3 , IXGA20N120 , IXGA20N120A3 , GT45F122 , IXGA24N120C3 , IXGA24N60C , IXGA30N120B3 , IXGA30N60C3 , IXGA30N60C3C1 , IXGA30N60C3D4 , IXGA36N60A3 , IXGA42N30C3 .

History: SKM150GB12T4 | SKM800GA126D | SRE50N120FSUD9 | APT40GP60SG

 

 
Back to Top

 


 
.