IXGA24N60C Todos los transistores

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IXGA24N60C - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXGA24N60C

Polaridad de transistor: N-Channel

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc):

Tensión colector-emisor (Vce): 600V

Voltaje de saturación colector-emisor (Vce sat): 2.1V

Tensión emisor-compuerta (Veg):

Corriente del colector DC máxima (Ic): 48A

Temperatura operativa máxima (Tj), °C:

Tiempo de elevación: 60

Capacitancia de salida (Cc), pF:

Empaquetado / Estuche: TO263(D2PAK)

Búsqueda de reemplazo de IXGA24N60C - IGBT

 

IXGA24N60C Datasheet (PDF)

1.1. ixga24n60c ixgp24n60c.pdf Size:100K _ixys

IXGA24N60C
IXGA24N60C

HiPerFASTTM IGBT IXGA 24N60C VCES = 600 V IXGP 24N60C IC25 = 48 A LightspeedTM Series VCE(sat)typ = 2.1 V tfi typ = 60 ns Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-220 AB (IXGP) VCES TJ = 25C to 150C 600 V VCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M? 600 V C (TAB) VGES Continuous 20 V G C VGEM Transient 30 V E IC25 TC = 25C48 A IC110 TC = 110C24 A TO-263 AA (IXGA) ICM TC = 25C, 1 ms

1.2. ixga24n60c.pdf Size:98K _igbt

IXGA24N60C
IXGA24N60C

HiPerFASTTM IGBT IXGA 24N60C VCES = 600 V IXGP 24N60C IC25 = 48 A LightspeedTM Series VCE(sat)typ = 2.1 V tfi typ = 60 ns Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-220 AB (IXGP) VCES TJ = 25°C to 150°C 600 V VCGR TJ = 25°C to 150°C; RGE = 1 MΩ 600 V C (TAB) VGES Continuous ±20 V G C VGEM Transient ±30 V E IC25 TC = 25°C48 A IC110 TC = 110°C24 A TO-263 AA (IXGA) ICM TC

1.3. ixga24n60c4.pdf Size:128K _igbt

IXGA24N60C
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Advance Technical Information High-Gain IGBTs VCES = 600V IXGA24N60C4 IC110 = 24A IXGP24N60C4 ≤ ≤ VCE(sat) ≤ 2.70V ≤ ≤ IXGH24N60C4 tfi(typ) = 68ns High-Speed PT Trench IGBTs TO-263 (IXGA) G E C (Tab) TO-220 (IXGP) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TJ = 25°C to 150°C 600 V VCGR TJ = 25°C to 150°C, RGE = 1MΩ 600 V VGES Continuous ±20 V G C C (

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