IXGA30N60C3 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IXGA30N60C3
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 220 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 60 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.6 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 5.5 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 26 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 78 pF
Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 38 nC
Paquete / Cubierta: TO263
- Selección de transistores por parámetros
IXGA30N60C3 Datasheet (PDF)
ixga30n60c3.pdf
GenX3TM 600V VCES = 600V IXGA30N60C3 IGBTs IC110 = 30A IXGP30N60C3 VCE(sat) 3.0V IXGH30N60C3 tfi(typ) = 47ns High-Speed PT IGBTs for 40-100kHz Switching TO-263 AA (IXGA) G E Symbol Test Conditions Maximum Ratings C (Tab) VCES TC = 25C to 150C 600 V VCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 600 V TO-220AB (IXGP) VGES Continuous 20 V
ixga30n60c3d4.pdf
GenX3TM 600V IGBTs VCES = 600V IXGA30N60C3D4 w/ Diode IC110 = 30A IXGP30N60C3D4 VCE(sat) 3.0V tfi(typ) = 47ns High-Speed PT IGBTs for 40-100kHz Switching TO-263 AA (IXGA) Symbol Test Conditions Maximum Ratings G E VCES TC = 25C to 150C 600 V C (Tab) VCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 600 V TO-220AB (IXGP) VGES Continuous 20 V
ixga30n60c3c1.pdf
GenX3TM 600V IGBTs VCES = 600V IXGA30N60C3C1 w/ SiC Anti-Parallel IC110 = 30A IXGP30N60C3C1 Diode VCE(sat) 3.0V IXGH30N60C3C1 tfi(typ) = 47ns TO-263 AA (IXGA) High-Speed PT IGBTs for 40 - 100kHz Switching G E C (Tab) Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-220AB (IXGP) VCES TC = 25C to 150C 600 V VCGR TJ = 25C to 150C, RG
ixga30n120b3.pdf
VCES = 1200VGenX3TM 1200V IXGA30N120B3IC110 = 30AIGBTs IXGP30N120B3VCE(sat) 3.5VIXGH30N120B3tfi(typ) = 204nsHigh-Speed Low-Vsat PTIGBTs 3-20 kHz SwitchingTO-263 (IXGA)GESymbol Test Conditions Maximum Ratings C (Tab)VCES TC = 25C to 150C 1200 VVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 1200 VTO-220 (IXGP)VGES Continuous 20 VVGEM Tra
Otros transistores... IXGA16N60C2D1 , IXGA20N100A3 , IXGA20N120 , IXGA20N120A3 , IXGA20N120B3 , IXGA24N120C3 , IXGA24N60C , IXGA30N120B3 , RJH3047 , IXGA30N60C3C1 , IXGA30N60C3D4 , IXGA36N60A3 , IXGA42N30C3 , IXGA48N60A3 , IXGA48N60B3 , IXGA48N60C3 , IXGA4N100 .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M