IXGF32N170 Todos los transistores

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IXGF32N170 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXGF32N170

Polaridad de transistor: N-Channel

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc):

Tensión colector-emisor (Vce): 1700V

Voltaje de saturación colector-emisor (Vce sat): 3.5V

Tensión emisor-compuerta (Veg):

Corriente del colector DC máxima (Ic): 44A

Temperatura operativa máxima (Tj), °C:

Tiempo de elevación: 250

Capacitancia de salida (Cc), pF:

Empaquetado / Estuche: ISOPLUS_i4-Pak

Búsqueda de reemplazo de IXGF32N170 - IGBT

 

IXGF32N170 Datasheet (PDF)

1.1. ixgf32n170.pdf Size:179K _igbt

IXGF32N170
IXGF32N170

VCES = 1700V High Voltage IGBT IXGF32N170 IC110 = 19A ≤ VCE(sat) ≤ ≤ 3.5V ≤ ≤ ( Electrically Isolated Tab) tfi(typ) = 250ns ISOPLUS i4-PakTM Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TJ = 25°C to 150°C 1700 V 1 2 VGES Continuous ± 20 V 5 VGEM Transient ± 30 V ISOLATED TAB IC25 TC = 25°C 44 A IC110 TC = 110°C 19 A ICM TC = 25°C, 1ms 200 A 1 = Gate 5 = Col

5.1. ixgf36n300.pdf Size:199K _igbt

IXGF32N170
IXGF32N170

VCES = 3000V High Voltage IGBT IXGF36N300 IC25 = 36A For Capacitor Discharge Applications ≤ VCE(sat) ≤ 2.7V ≤ ≤ ≤ ( Electrically Isolated Tab) ISOPLUS i4-PakTM Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TJ = 25°C to 150°C 3000 V 1 2 Isolated Tab VGES Continuous ± 20 V 5 VGEM Transient ± 30 V 1 = Gate 5 = Collector IC25 TC = 25°C 36 A 2 = Emitter IC110 TC =

5.2. ixgf30n400.pdf Size:191K _igbt

IXGF32N170
IXGF32N170

High Voltage IGBT VCES = 4000V IXGF30N400 For Capacitor Discharge IC25 = 30A Applications ≤ VCE(sat) ≤ ≤ 3.1V ≤ ≤ ( Electrically Isolated Tab) ISOPLUS i4-PakTM Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TJ = 25°C to 150°C 4000 V VGES Continuous ± 20 V 1 2 Isolated Tab VGEM Transient ± 30 V 5 IC25 TC = 25°C 30 A 1 = Gate 5 = Collector IC110 TC = 110°C 15 A

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