IXGH100N30C3 Todos los transistores

 

IXGH100N30C3 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXGH100N30C3
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 460 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 300 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 75 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.53 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 38 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 435 pF
   Paquete / Cubierta: TO247
     - Selección de transistores por parámetros

 

IXGH100N30C3 Datasheet (PDF)

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IXGH100N30C3

Preliminary Technical InformationIXGH100N30C3 VCES = 300VGenX3TM 300V IGBTIC110 = 100A VCE(sat) 1.85V High Speed PT IGBTs fortfi typ = 94ns50-150kHz switchingTO-247 (IXGH)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 150C 300 VVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 300 VGVGES Continuous 20 VC (TAB)EVGEM Transient 30 VG

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IXGH100N30C3

Preliminary Technical InformationTMVCES = 300VGenX3 300V IGBT IXGH100N30B3IC110 = 100AVCE(sat) 1.7VMedium speed low Vsat PTtfi(typ) = 33nsIGBTs for 10-50 kHz switchingSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-247 (IXGH)VCES TJ = 25C to 150C 300 VVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 300 VVGES Continuous 20 VVGEM Transient 30 VGTAB

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IXGH100N30C3

Advance Technical InformationHigh Voltage IGBT VCES = 3000VIXGH10N300IC90 = 10A VCE(sat) 3.5V For Capacitor DischargeApplicationsTO-247 ADSymbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 150C 3000 VVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 3000 VG (TAB)VGES Continuous 20 VCEVGEM Transient 30 VIC25 TC = 25C 18 AG = Gate C

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ixgh10n100au1 ixgh10n100u1.pdf pdf_icon

IXGH100N30C3

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History: TT060U065FB | DM2G150SH12AE | APT15GT60KR | SPM1003

 

 
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