IXGH24N120C3 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXGH24N120C3

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 250 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 48 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 3.6 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 27 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 125 pF

Encapsulados: TO247

 Búsqueda de reemplazo de IXGH24N120C3 IGBT

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

IXGH24N120C3 datasheet

 ..1. Size:188K  ixys
ixgh24n120c3.pdf pdf_icon

IXGH24N120C3

Preliminary Technical Information VCES = 1200V GenX3TM 1200V IGBT IXGA24N120C3 IC25 = 48A IXGH24N120C3 VCE(sat) 4.2V IXGP24N120C3 High speed PT IGBTs for tfi(typ) = 110ns 10-50kHz Switching TO-263 (IXGA) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TJ = 25 C to 150 C 1200 V VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 1200 V G E VGES Continuous 20 V C (TAB) V

 0.1. Size:139K  ixys
ixgh24n120c3h1.pdf pdf_icon

IXGH24N120C3

Preliminary Technical Information VCES = 1200V GenX3TM 1200V IGBT IXGH24N120C3H1 IC25 = 48A VCE(sat) 4.2V High speed PT IGBTs for tfi(typ) = 110ns 10-50kHz Switching Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247AD VCES TJ = 25 C to 150 C 1200 V VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 1200 V VGES Continuous 20 V VGEM Transient 30 V G IC25 TC = 25 C48 T

 6.1. Size:222K  ixys
ixgh24n170a.pdf pdf_icon

IXGH24N120C3

Preliminary Technical Information High Voltage VCES = 1700V IXGH24N170A IGBTs IXGT24N170A IC25 = 24A VCE(sat) 6.0V tfi(typ) = 40ns TO-247 (IXGH) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TC = 25 C to 150 C 1700 V G C (TAB) VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 1700 V C E VGES Continuous 20 V VGEM Transient 30 V IC25 TC = 25 C 24 A TO-268 (IX

 6.2. Size:519K  ixys
ixgh24n170a ixgt24n170a.pdf pdf_icon

IXGH24N120C3

IXGH 24N170A VCES = 1700 V High Voltage IXGT 24N170A IC25 = 24 A IGBT VCE(sat) = 6.0 V tfi(typ) = 45 ns Preliminary Data Sheet Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-268 (IXGT) VCES TJ = 25 C to 150 C 1700 V VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 M 1700 V G VGES Continuous 20 V E C (TAB) VGEM Transient 30 V IC25 TC = 25 C24 A TO-247 AD (IXGH) IC90 TC = 90 C16 A ICM

Otros transistores... IXGH16N60B2D1, IXGH16N60C2D1, IXGH20N100A3, IXGH20N120, IXGH20N120A3, IXGH20N120B, IXGH20N140C3H1, IXGH22N170, GT30F125, IXGH24N120C3H1, IXGH24N170, IXGH24N170A, IXGH24N170AH1, IXGH24N60C4, IXGH24N60C4D1, IXGH25N160, IXGH25N250