IXGH24N120C3 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: IXGH24N120C3

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 48 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3.6 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 27 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 125 pF

Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для IXGH24N120C3

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IXGH24N120C3 даташит

 ..1. Size:188K  ixys
 ixgh24n120c3.pdf pdf_icon

IXGH24N120C3

Preliminary Technical Information VCES = 1200V GenX3TM 1200V IGBT IXGA24N120C3 IC25 = 48A IXGH24N120C3 VCE(sat) 4.2V IXGP24N120C3 High speed PT IGBTs for tfi(typ) = 110ns 10-50kHz Switching TO-263 (IXGA) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TJ = 25 C to 150 C 1200 V VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 1200 V G E VGES Continuous 20 V C (TAB) V

 0.1. Size:139K  ixys
 ixgh24n120c3h1.pdf pdf_icon

IXGH24N120C3

Preliminary Technical Information VCES = 1200V GenX3TM 1200V IGBT IXGH24N120C3H1 IC25 = 48A VCE(sat) 4.2V High speed PT IGBTs for tfi(typ) = 110ns 10-50kHz Switching Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247AD VCES TJ = 25 C to 150 C 1200 V VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 1200 V VGES Continuous 20 V VGEM Transient 30 V G IC25 TC = 25 C48 T

 6.1. Size:222K  ixys
 ixgh24n170a.pdf pdf_icon

IXGH24N120C3

Preliminary Technical Information High Voltage VCES = 1700V IXGH24N170A IGBTs IXGT24N170A IC25 = 24A VCE(sat) 6.0V tfi(typ) = 40ns TO-247 (IXGH) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TC = 25 C to 150 C 1700 V G C (TAB) VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 1700 V C E VGES Continuous 20 V VGEM Transient 30 V IC25 TC = 25 C 24 A TO-268 (IX

 6.2. Size:519K  ixys
 ixgh24n170a ixgt24n170a.pdf pdf_icon

IXGH24N120C3

IXGH 24N170A VCES = 1700 V High Voltage IXGT 24N170A IC25 = 24 A IGBT VCE(sat) = 6.0 V tfi(typ) = 45 ns Preliminary Data Sheet Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-268 (IXGT) VCES TJ = 25 C to 150 C 1700 V VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 M 1700 V G VGES Continuous 20 V E C (TAB) VGEM Transient 30 V IC25 TC = 25 C24 A TO-247 AD (IXGH) IC90 TC = 90 C16 A ICM

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IXGH16N60B2D1, IXGH16N60C2D1, IXGH20N100A3, IXGH20N120, IXGH20N120A3, IXGH20N120B, IXGH20N140C3H1, IXGH22N170, GT30F125, IXGH24N120C3H1, IXGH24N170, IXGH24N170A, IXGH24N170AH1, IXGH24N60C4, IXGH24N60C4D1, IXGH25N160, IXGH25N250