1MB10-120 Todos los transistores

 

1MB10-120 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 1MB10-120
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 135 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 16 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 3.5 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 8.5 V
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 600 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 250 pF
   Paquete / Cubierta: TO3P
 

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1MB10-120 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:187K  fuji
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1MB10-120

Fuji Discrete Package IGBT n Outline Drawingnn Featuresn Square RBSOA Low Saturation Voltage Less Total Power Dissipation Minimized Internal Stray Inductancen Applicationsn High Power Switching A.C. Motor Controls D.C. Motor Controls Uninterruptible Power Supplyn Maximum Ratings and Characteristics n Equivalent Circuitn n Absolute Maxim

 9.1. Size:216K  fuji
 1mb10d-120.pdf pdf_icon

1MB10-120

Fuji Discrete Package IGBT n Outline Drawingnn Featuresn Square RBSOA Low Saturation Voltage Less Total Power Dissipation Minimized Internal Stray Inductancen Applicationsn High Power Switching A.C. Motor Controls D.C. Motor Controls Uninterruptible Power Supplyn Maximum Ratings and Characteristics n Equivalent Circuitn n Absolute Maxim

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History: APT50GT60BRDQ2G | IXGT64N60A3 | STGW45NC60VD | APT60GT60JRDQ3 | IXGX50N120C3H1 | IXGT39N60BD1 | 1MB05D-120

 

 
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