1MB10-120 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 1MB10-120

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 135 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 16 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 3.5 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 600 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 250 pF

Encapsulados: TO3P

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1MB10-120 datasheet

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1MB10-120

Fuji Discrete Package IGBT n Outline Drawing n n Features n Square RBSOA Low Saturation Voltage Less Total Power Dissipation Minimized Internal Stray Inductance n Applications n High Power Switching A.C. Motor Controls D.C. Motor Controls Uninterruptible Power Supply n Maximum Ratings and Characteristics n Equivalent Circuit n n Absolute Maxim

 9.1. Size:216K  fuji
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1MB10-120

Fuji Discrete Package IGBT n Outline Drawing n n Features n Square RBSOA Low Saturation Voltage Less Total Power Dissipation Minimized Internal Stray Inductance n Applications n High Power Switching A.C. Motor Controls D.C. Motor Controls Uninterruptible Power Supply n Maximum Ratings and Characteristics n Equivalent Circuit n n Absolute Maxim

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