1MB10-120 Todos los transistores

 

1MB10-120 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 1MB10-120

Polaridad de transistor: N-Channel

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 135

Tensión colector-emisor (Vce): 1200

Voltaje de saturación colector-emisor (Vce sat): 3.5

Tensión emisor-compuerta (Veg): 20

Corriente del colector DC máxima (Ic): 16

Temperatura operativa máxima (Tj), °C: 150

Tiempo de elevación: 1200

Empaquetado / Estuche: TO3P

Búsqueda de reemplazo de 1MB10-120 - IGBT

 

1MB10-120 Datasheet (PDF)

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