IXGH60N60B2 Todos los transistores

 

IXGH60N60B2 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXGH60N60B2
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 500 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 75 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.8(max) V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 30 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 290 pF
   Paquete / Cubierta: TO247
 

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IXGH60N60B2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:576K  ixys
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IXGH60N60B2

Advance Technical DataVCES = 600 VIXGH 60N60B2HiPerFASTTM IGBTIC25 = 75 AIXGT 60N60B2VCE(sat)

 ..2. Size:578K  ixys
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IXGH60N60B2

Advance Technical DataVCES = 600 VIXGH 60N60B2HiPerFASTTM IGBTIC25 = 75 AIXGT 60N60B2VCE(sat)

 5.1. Size:583K  ixys
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IXGH60N60B2

Advance Technical DataVCES = 600 VIXGH 60N60C2HiPerFASTTM IGBTIC25 = 75 AC2-Class High Speed IGBTs IXGT 60N60C2VCE(sat) = 2.5 Vtfi typ = 35 nsSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXGH)VCES TJ = 25C to 150C 600 VVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M 600 VC (TAB)VGES Continuous 20 VGCVGEM Transient 30 VETO-268IC25 TC = 25C (limited by

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IXGH60N60B2

GenX3TM 600V VCES = 600VIXGH60N60C3IGBT IC110 = 60A VCE(sat) 2.5V tfi (typ) = 50nsHigh Speed PT IGBT for40-100kHz SwitchingTO-247 ADSymbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 150C 600 VVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 600 VGVGES Continuous 20 VC TabEVGEM Transient 30 VIC25 TC = 25C (Limited by Leads) 75 AG

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History: FGW40N120WD | VS-40MT120UHTAPBF | BRG60N65D | FGPF15N60UNDF | CM1200HA-66H | IXGX35N120B | AFGY120T65SPD-B4

 

 
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