IXGH60N60B2 - параметры транзистора, его аналоги, Даташиты

IXGH60N60B2 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.

   Наименование: IXGH60N60B2
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 500 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 75 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.8(max) V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 30 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 290 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 170 nC
   Тип корпуса: TO247

Аналог (замена) для IXGH60N60B2

IXGH60N60B2 Datasheet (PDF)

..1. Size:576K ixys
ixgh60n60b2.pdf

Advance Technical DataVCES = 600 VIXGH 60N60B2HiPerFASTTM IGBTIC25 = 75 AIXGT 60N60B2VCE(sat)

..2. Size:578K ixys
ixgh60n60b2 ixgt60n60b2.pdf

Advance Technical DataVCES = 600 VIXGH 60N60B2HiPerFASTTM IGBTIC25 = 75 AIXGT 60N60B2VCE(sat)

5.1. Size:583K ixys
ixgh60n60c2 ixgt60n60c2.pdf

Advance Technical DataVCES = 600 VIXGH 60N60C2HiPerFASTTM IGBTIC25 = 75 AC2-Class High Speed IGBTs IXGT 60N60C2VCE(sat) = 2.5 Vtfi typ = 35 nsSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXGH)VCES TJ = 25C to 150C 600 VVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M 600 VC (TAB)VGES Continuous 20 VGCVGEM Transient 30 VETO-268IC25 TC = 25C (limited by

5.2. Size:163K ixys
ixgh60n60c3.pdf

GenX3TM 600V VCES = 600VIXGH60N60C3IGBT IC110 = 60A VCE(sat) 2.5V tfi (typ) = 50nsHigh Speed PT IGBT for40-100kHz SwitchingTO-247 ADSymbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 150C 600 VVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 600 VGVGES Continuous 20 VC TabEVGEM Transient 30 VIC25 TC = 25C (Limited by Leads) 75 AG

5.3. Size:284K ixys
ixgh60n60c3d1 ixgt60n60c3d1.pdf

VCES = 600VGenX3TM 600V IGBTs IXGH60N60C3D1 IC110 = 60Awith Diode IXGT60N60C3D1**Obsolete Part Number VCE(sat) 2.5V tfi (typ) = 50nsHigh Speed PT IGBTs for40-100kHz switchingTO-247 (IXGH)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 150C 600 VGVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 600 VCC (Tab)EVGES Continuous 20 VVGE

5.4. Size:236K ixys
ixgh60n60c3d1.pdf

VCES = 600VGenX3TM 600V IGBTs IXGH60N60C3D1IC110 = 60Awith Diode IXGT60N60C3D1 VCE(sat) 2.5V tfi (typ) = 50nsHigh Speed PT IGBTs for40-100kHz switchingTO-247 (IXGH)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 150C 600 VGVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 600 VCC (Tab)EVGES Continuous 20 VVGEM Transient 30 VIC25

5.5. Size:94K ixys
ixgh60n60.pdf

VCES = 600 VUltra-Low VCE(sat) IGBT IXGH 60N60IC25 = 75 AIXGK 60N60 VCE(sat) = 1.7 VIXGT 60N60Symbol Test Conditions Maximum RatingsTO-247 AD (IXGH)VCES TJ = 25C to 150C 600 VVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 MW 600 VGCVGES Continuous 20 VEVGEM Transient 30 VTO-268IC25 TC = 25C, limited by leads 75 A(IXGT)IC90 TC = 90C60 AGEICM TC = 25C,

5.6. Size:581K ixys
ixgh60n60c2.pdf