VBGN50N60 Todos los transistores

 

VBGN50N60 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: VBGN50N60
   Tipo de transistor: IGBT + Diode
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 277 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 100 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.65 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 7 V
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 45 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 250 pF
   Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 200 nC
   Paquete / Cubierta: TO247
 

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VBGN50N60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1471K  cn vbsemi
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VBGN50N60

VBGN50N60www.VBsemi.comGeneral DescriptionVBsemi Field Stop Trench IGBTs offer low switching losses, high energyefficiency and short circuit ruggedness.It is designed for applications such as motor control, uninterrupted power supplies(UPS), general inverters.FEATURES High speed switchingHigh ruggedness, temperature stable behaviorShort Circuit Withstand Times 10us

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History: APT30GP60BDQ1G

 

 
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