VBGN50N60 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: VBGN50N60
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 277 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 100 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.65 V @25℃
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 45 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 250 pF
Paquete / Cubierta: TO247
Búsqueda de reemplazo de VBGN50N60 - IGBT
VBGN50N60 Datasheet (PDF)
vbgn50n60.pdf
VBGN50N60www.VBsemi.comGeneral DescriptionVBsemi Field Stop Trench IGBTs offer low switching losses, high energyefficiency and short circuit ruggedness.It is designed for applications such as motor control, uninterrupted power supplies(UPS), general inverters.FEATURES High speed switchingHigh ruggedness, temperature stable behaviorShort Circuit Withstand Times 10us
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