IXGJ50N60C4D1 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXGJ50N60C4D1

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 125 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 52 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.95 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 66 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 100 pF

Encapsulados: TO247

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IXGJ50N60C4D1 datasheet

..1. Size:399K ixys
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Preliminary Technical Information VCES = 600V High-Gain IGBT IXGJ50N60C4D1 IC110 = 21A w/ Diode VCE(sat) 2.50V (Electrically Isolated Tab) High-Speed PT Trench IGBT ISO TO-247TM E153432 Symbol Test Conditions Maximum Ratings G VCES TJ = 25 C to 150 C 600 V C E Isolated Tab VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 600 V VGES Continuous 20 V G = Gate E

5.1. Size:181K ixys
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IXGH 50N60B HiPerFASTTM IGBT VCES = 600 V IXGK 50N60B IC25 = 75 A IXGT 50N60B VCE(sat) = 2.3 V IXGJ 50N60B tfi(typ) = 120 ns TO-247 AD (IXGH) C C (TAB) Symbol Test Conditions Maximum Ratings E VCES TJ = 25 C to 150 C 600 V TO-268 (D3) ( IXGT) VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 M 600 V VGES Continuous 20 V G VGEM Transient 30 V C (TAB) E IC25 TC = 25 C75 A TO-268 Le

5.2. Size:181K ixys
ixgk50n60b ixgt50n60b ixgj50n60b.pdf pdf_icon

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